bet356

N-Channel MOSFET

bet356描述

SFG60N03AT 采用bet356亚洲版体育官网电子先进的高密度沟槽技术制造,低导通电阻,高雪崩击穿耐量,可广泛应用于电工工具,锂电保护,PD快充和直流无刷电机等应用。

主要特点


  • 30V, 60A

  • RDS(ON) =4.8mΩ (Max.) @ VGS = 10V, ID = 30A

  • 低栅极电荷


规格书

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        SFG60N03AT_EN_A0497KB

    SFG60N03AT_EN_A0.pdf