N-Channel MOSFET
SFG60N03AT 采用bet356亚洲版体育官网电子先进的高密度沟槽技术制造,低导通电阻,高雪崩击穿耐量,可广泛应用于电工工具,锂电保护,PD快充和直流无刷电机等应用。
30V, 60A
RDS(ON) =4.8mΩ (Max.) @ VGS = 10V, ID = 30A
低栅极电荷
SFG60N03AT_EN_A0.pdf